本發(fā)明公開了一種高階芯片反向去層方法，所述的高階芯片為45nm芯片，其特征在于，所述的高階芯片包括基板以及自下而上制備于所述基板上的金屬層，所述的金屬層包括第一層金屬層、第二金屬層、第三金屬層、第四金屬層、第五金屬層、第六金屬層、第七金屬層和第八金屬層，采用干法蝕刻方法自上而下依次蝕刻所述第八金屬層、第七金屬層、第六金屬層、第五金屬層、第四金屬層、第三金屬層、第二金屬層和第一金屬層。通過上述，本發(fā)明采用干法刻蝕可避免芯片接觸化學(xué)溶液，不會(huì)造成芯片的金屬層大面積擊穿，保留金屬層的完整，可以保證上層金屬去除后能完整的保留下一層整層的金屬且兩層金屬間的金屬線可以清楚呈現(xiàn)，可以有利于后期電路分析。