本發(fā)明涉及一種多孔GaN材料的制備方法，該方法包括以下步驟：步驟S1、將K2S2O8溶解于去離子水或純凈水中，配制濃度為0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液；步驟S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；步驟S3、將GaN材料置于混合溶液中，用紫外光源照射GaN材料，獲得多孔GaN材料。本發(fā)明利用極其廉價的光化學技術(shù)在GaN材料表面上產(chǎn)生納米級孔洞，通過鎖相放大器等微小電信號測試設(shè)備可以將GaN材料電阻率的微小變化檢測出來，從而發(fā)展高靈敏度的氣敏傳感器。