本發(fā)明涉及一種雙柵ISFET模型的仿真方法。步驟如下：1：獲取待仿真雙柵離子敏感場效應(yīng)晶體管(ISFET)器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)；2：根據(jù)電解質(zhì)的物理化學(xué)特性，利用TCAD工具重定義電解質(zhì)的材料參數(shù)；3：構(gòu)建網(wǎng)格化的雙柵ISFET模型；4：設(shè)置摻雜、界面狀態(tài)、接觸類型等；5：獲取I?V特性和pH特性曲線，并對仿真結(jié)果進行分析；6：根據(jù)分析結(jié)果，選擇不同的材料和尺寸再次進行模擬；7：對比不同結(jié)構(gòu)參數(shù)的仿真結(jié)果，獲取性能優(yōu)良的雙柵ISFET器件。本發(fā)明提供的仿真方法可優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)和材料參數(shù)，進一步提高雙柵ISFET器件的pH靈敏度，從而節(jié)約器件的研發(fā)成本，為雙柵ISFET器件的研制提供一定的指導(dǎo)。