本發(fā)明涉及碳納米管制備與結構控制領域，具體為一種高效篩選高質量碳納米管生長條件的高通量方法。將離子束沉積方法與四元模板法相結合，在同一標記硅片基底上制備出不同厚度或成分組合的催化劑薄膜，并采用化學氣相沉積法催化生長獲得碳納米管水平網絡。此后對樣品進行拉曼光譜面掃分析，將獲得的碳納米管G、D模強度比值作為判斷碳納米管質量的依據，并利用標記硅片定位關聯(lián)催化劑薄膜厚度或成分等與碳納米管質量的關系。進一步建立Excel模板對多組G、D模強度比進行自動分析，篩選出生長高質量碳納米管的最佳催化劑薄膜厚度和最佳生長條件。從而，適于高效篩選出催化劑厚度或成分、溫度、氣氛等反應參數(shù)，生長高質量碳納米管。