本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NMRAM器件中MTJ單元的平坦化方法與MRAM器件。該平坦化方法包括：步驟S1，在襯底的表面上設(shè)置預(yù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，預(yù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括MTJ單元，MTJ單元的第一表面與襯底的距離為h1，MTJ單元的MTJ薄膜的遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底的距離為h2；步驟S2，在MTJ單元的表面上設(shè)置第一介電層、拋光金屬犧牲層和第二介電層，拋光金屬犧牲層的第二表面與襯底的距離為h3，h2≤h3≤h1；步驟S3，對(duì)步驟S2形成的結(jié)構(gòu)實(shí)施化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，利用終點(diǎn)檢測(cè)方法控制化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，使得化學(xué)機(jī)械平坦化工藝去除第二表面所在平面上方的結(jié)構(gòu)。該方法能準(zhǔn)確地控制去除的終點(diǎn)，使得晶圓的均一性較好。