一種磷化鎵晶片雙面拋光方法,它包括以下步驟:(1)清洗:在清洗液中超聲清洗晶片,清洗溫度在50-100℃之間;(2)貼片;(3)磷面拋光:將冷卻后的拋光盤放于拋光布上,用拋光臂固定好拋光盤,在拋光壓力為10-50PSI,拋光液的流量為10-40ML/MIN,溫度為5-25℃下進(jìn)行拋光,厚度合格后沖水;(4)去片、粘片及進(jìn)行另一面拋光;(5)清洗檢驗(yàn)。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn):方法簡(jiǎn)單實(shí)用,可操作性強(qiáng),所使用的化學(xué)試劑低成本材料,不會(huì)對(duì)環(huán)境和人體造成危害,拋光成品率85%以上。通過(guò)該方法拋光所得磷化鎵拋光晶片總厚度變化不大于6UM,翹曲度不大于25UM,晶面平整度不大于5UM,在相應(yīng)光源下均末檢測(cè)到沾污、霧、劃道、顆粒、裂、橘皮、鴉爪等缺陷。
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“磷化鎵晶片雙面拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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