本發(fā)明涉及一種基于叉指電極的PbSe薄膜中紅外探測(cè)器的制備方法，包括步驟：選用清潔的石英片，用洗劑清洗石英片的襯底后，烘干石英片；用管式爐制備PbSe薄膜；用真空鍍膜機(jī)制備叉指電極結(jié)構(gòu)；將表面鍍有銀制叉指電極結(jié)構(gòu)的PbSe薄膜石英片貼在PCB上，用漆包線來(lái)聯(lián)通電極與PCB表面的引腳，制得PbSe薄膜的叉指電極中紅外探測(cè)器。本發(fā)明的有益效果是：采用化學(xué)氣相沉積方法生長(zhǎng)PbSe材料薄膜，制備叉指電極實(shí)現(xiàn)高性能的中紅外探測(cè)器；采用的設(shè)備為真空鍍膜機(jī)和管式爐，所用原材料為PbSe與銀粒，價(jià)格低廉，操作簡(jiǎn)單，且成品能夠在常溫下工作且具有較好的性能，可以有效降低PbSe薄膜中紅外探測(cè)器的制備成本。