本發(fā)明公開了一種改善STI-CMP終點(diǎn)檢測的方法,包括STI-CMP前后相關(guān)工藝步驟和終點(diǎn)檢測步驟,所述STI-CMP前后相關(guān)工藝依次包括氧化硅沉積、氮化硅沉積、STI溝槽刻蝕、氧化硅填入、化學(xué)機(jī)械拋光、氮化硅去除和氧化硅去除的步驟,在化學(xué)機(jī)械拋光步驟中采用終點(diǎn)檢測的方法進(jìn)行工藝控制,所述STI-CMP前道相關(guān)的工藝中,在所述氮化硅沉積和化學(xué)機(jī)械拋光的步驟之間,加入對氮化硅表面進(jìn)行改變氮化硅表面特性的處理的步驟。本發(fā)明通過改變氮化硅表面特性的方式,使得后續(xù)化學(xué)機(jī)械拋光工藝步驟中能夠明確的區(qū)分氮化硅和氧化硅的界面,方便終點(diǎn)檢測步驟的進(jìn)行,提高了整個(gè)工藝過程的穩(wěn)定性和可靠性。