本發(fā)明涉及晶體應(yīng)力處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種消除晶體切割應(yīng)力的化學腐蝕工藝，第一步，配置腐蝕溶液：將硫酸、硝酸、鹽酸和水按照200:200:3:1000質(zhì)量比配置，并加熱到80?100攝氏度；第二步，化學腐蝕，將晶體置入所述第一步配置的腐蝕溶液內(nèi)，時間控制在1?40小時；第三步，兩道清水清洗：用清水洗去晶體表面的腐蝕溶液；第四步，去離子水清洗：將晶體在去離子水內(nèi)浸泡3?5分鐘，清洗1?2分鐘；第五步，消光比測試儀測試：將所述第四步清洗后的晶體通過消光比測試儀進行測試。本發(fā)明通過市場上常見的三酸，通過優(yōu)化配比形成腐蝕溶液，將晶體材料放置到配置好的腐蝕溶液內(nèi)腐蝕即可完成對晶體的消除應(yīng)力操作，本工藝操作簡單，化學原料易于取得，適合大晶體制造企業(yè)內(nèi)廣泛推廣使用。