本發(fā)明涉及一種高通量濕法化學組合材料芯片制備裝置以及制備方法，包括溫控箱，溫控箱內(nèi)設有支撐架，支撐架上設有廢液池，廢液池的豎直上方設有反應池，反應池的底部設有池底排液口，池底排液口處設有排液速度控制器，反應池的豎直上方設有溶液池，溶液池的底部設有加液口，加液口處設有加液速度控制器，反應池的豎直上方設有垂直提升器，垂直提升器通過提升線固定連接有夾具，還包括檢測裝置。本發(fā)明可用于包含稀土元素等在大氣環(huán)境下不穩(wěn)定、其氧化物又不宜制成靶材的材料的高通量組合材料芯片的制備；反應過程溫度較低，通過控制反應溶液溫度進一步降低基底溫度，防止制備過程中基底溫度過高生成中間化合物，阻止擴散的進一步進行。