本發(fā)明公開了一種化學氣相沉積(CVD)裝置及其控制方法,所述CVD裝置包括:腔室;設(shè)置在所述腔室內(nèi)的在其上放置基片的基座;設(shè)置在所述基座上方并供給工藝氣的工藝氣供給單元;設(shè)置在所述基座上方并朝向所述基座或基片開口的檢測管;安裝在所述檢測管的一端并通過所述檢測管檢測所述基座或基片溫度的溫度檢測部件;和將吹掃氣注入所述檢測管的吹掃氣供給單元。使用所述化學氣相沉積(CVD)裝置及其控制方法,通過注入所述吹掃氣可以更為有效地防止吹掃氣回流進入所述檢測管中。因此,可以擴大所述檢測管的出口,使得即使在光學高溫計使用數(shù)值孔徑較低的物鏡時,性能也足以進行溫度檢測。