本發(fā)明提供一種用于拋光三維半導(dǎo)體或存儲(chǔ)器襯底的化學(xué)機(jī)械(CMP)拋光墊,所述拋光墊包含熱固性反應(yīng)混合物的聚氨酯反應(yīng)產(chǎn)物的拋光層,所述熱固性反應(yīng)混合物具有固化劑4,4′?亞甲基雙(3?氯?2,6?二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA與4,4′?亞甲基?雙?鄰?(2?氯苯胺)(MbOCA)的混合物,和聚異氰酸酯預(yù)聚物,所述預(yù)聚物由以下形成且具有8.6至11wt.%的未反應(yīng)異氰酸酯(NCO)濃度:一種或兩種芳香族二異氰酸酯,如甲苯二異氰酸酯(TDI),或芳香族二異氰酸酯與脂環(huán)族二異氰酸酯的混合物,和聚四亞甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇,或PTMEG與PPG的多元醇摻合物。所述拋光層中的所述聚氨酯根據(jù)ASTM?D2240?15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存儲(chǔ)模量(G′),且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′,通過(guò)剪切動(dòng)態(tài)力學(xué)分析(DMA)所測(cè)量,ASTM?D5279?08(2008))。
聲明:
“去除速率和平坦化改善的化學(xué)機(jī)械拋光墊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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