本發(fā)明公開了一種分析β?SiC過渡層對金剛石膜形核生長影響的方法。所述方法采用中頻磁控濺射技術在硬質(zhì)合金基體上沉積SiC過渡層，通過對沉積溫度的調(diào)控，獲得不同表面形貌和組織特性的β?SiC過渡層；利用熱絲化學氣相沉積在SiC過渡層表面沉積金剛石薄膜；利用掃描電鏡觀察樣品的表面形貌，利用X射線衍射檢測過渡層的組成、晶粒取向及結構變化，利用拉曼光譜表征金剛石薄膜的純度和內(nèi)應力的變化，利用微米壓痕測試金剛石薄膜的機械性能。所述方法通過研究沉積溫度對磁控濺射β?SiC過渡層表面形貌和組織特性的影響，低溫沉積β?SiC過渡層表面形貌和組織特性對金剛石薄膜形核及生長的影響，揭示了β?SiC過渡層影響金剛石形核及生長的作用機理。