本發(fā)明公開一種銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜表面修飾的方法,涉及光電
功能材料和新能源技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的特點(diǎn)在于:在銅銦鎵硒薄膜上沉積一定厚度的金屬薄膜或合金薄膜,再將其置于反應(yīng)性氣氛下高溫退火,沉積的金屬或合金與銅銦鎵薄膜表面的銅硒二次相(CuxSe)反應(yīng)形成寬帶隙的銅硒多元金屬化合物,達(dá)到除去CuxSe的目的。該表面修飾方法避免了傳統(tǒng)修飾方法采用KCN刻蝕CuxSe有劇毒不環(huán)保的缺點(diǎn),具有成本低、重現(xiàn)性好和適合薄膜大面積生長等優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)薄膜表面帶隙寬度的提高和梯度帶隙的形成,且明顯降低pn結(jié)界面復(fù)合,有效提高器件的開路電壓。
聲明:
“銅銦鎵硒薄膜表面修飾的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)