本發(fā)明公開了一種具有
石墨烯電極的GaN基半導(dǎo)體器件,由襯底、緩沖層、N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層、石墨烯薄膜層和金屬電極結(jié)合形成,P型半導(dǎo)體層為含GaN的
復(fù)合材料層,石墨烯薄膜層設(shè)有貫穿的孔道,使金屬電極穿過石墨烯薄膜層與P型半導(dǎo)體層固定連接,形成石墨烯薄膜層的焊盤,使石墨烯薄膜層固定結(jié)合在P型半導(dǎo)體層上,形成復(fù)合電極。本發(fā)明采用MO源作為催化劑與碳源的前驅(qū)體,在現(xiàn)有GaN外延工藝及設(shè)備的情況下實(shí)現(xiàn)了低溫石墨烯電極的自生長(zhǎng),并可通過對(duì)金屬圖形的控制,進(jìn)一步改善電流分布,提高了器件的出光與散熱性能。
聲明:
“具有石墨烯電極的GaN基半導(dǎo)體器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)