本發(fā)明公開了一種巨磁阻抗(GMI)效應(yīng)
石墨烯/納米晶
復(fù)合材料及制備方法,其方法通過在巨磁阻抗傳感器敏感元件Fe
73.5Cu
1Nb
3Si
13B
9.5納米晶條帶上,通過化學氣相沉積(CVD)法,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為碳源直接生長石墨烯,得到石墨烯/納米晶(Graphene/FINEMET)雙層結(jié)構(gòu)的巨磁阻抗傳感器敏感元件。其有益效果在于通過合適的碳源選擇及CVD生長工藝,成功在較低溫度下在納米晶條帶生長了高質(zhì)量石墨烯層。直接生長的高質(zhì)量石墨烯層一方面因其高導(dǎo)電性能作為高頻電流流動的途徑,大大降低了趨膚效應(yīng);另一方面本方法提高了在條帶上直接生長石墨烯的兼容性,使得納米晶條帶的軟磁性能得以保持延續(xù)。最終獲得了巨磁阻抗效應(yīng)石墨烯/納米晶復(fù)合材料。
聲明:
“巨磁阻抗效應(yīng)石墨烯/納米晶復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)