本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管防護(hù)的制備方法。本發(fā)明先在有源層上方旋涂一層較薄的阻擋層,然后通過一種打印刻蝕的方式,利用導(dǎo)電墨水的溶劑對阻擋層進(jìn)行定位刻蝕,在外向馬朗格尼流動下,絕緣的阻擋層溶質(zhì)被遷移到外圍,而中心形成了較薄且均勻平坦的電極層,進(jìn)而改善了有源層與導(dǎo)電層之間的界面接觸,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了TFT器件的有效防護(hù),工藝簡單、耗時(shí)短且適于大面積制備。
聲明:
“實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管防護(hù)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)