本發(fā)明屬于超快診斷技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種全光固態(tài)超快光探測器的制備方法,其特殊之處在于:包括以下步驟:1)在GaAs襯底上生長腐蝕停層,然后在腐蝕停層上低溫生長2?5um的低溫GaAs作為
功能材料層,所述GaAs襯底、腐蝕停層和功能材料層共同組成外延片;2)在外延片的功能材料層上蒸鍍多層介質(zhì)膜作為上DBR;3)在石英基片上旋涂紫外固化膠,然后將鍍完上DBR的外延片倒扣在帶膠的石英基片上;4)將GaAs襯底逐漸減薄,直至使GaAs襯底消失并露出腐蝕停層;5)在露出的腐蝕停層上鍍多層介質(zhì)膜作為下DBR。主要解決了全光固態(tài)超快光探測器制作難度高的問題。
聲明:
“全光固態(tài)超快光探測器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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