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稀貴金屬	稀土稀土礦稀土氧化物稀土金屬釹鐵硼小金屬銻鉍銦鍺鎵硒鉭鋯貴金屬白銀
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鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料

913 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 14:58:54

一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料，包含如下步驟：制備SiC復合漿料，首先使用SiC微粉配制得到固含量為30?70%的SiC漿料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd為（50?60）∶（0.3?0.6）∶1：（0.02?0.05）的質量比加入金粉和銀粉和鈀粉，混合均勻，得到SiC復合漿料；流延成型，對得到的SiC復合漿料除泡混合均勻后，進行流延得到SiC復合流延膜；流延膜素燒，對得到的流延膜進行素燒，得到SiC復合素坯；真空燒結，將SiC符合素坯在真空狀態(tài)下燒結，得到鋁基碳化硅。本發(fā)明的有益效果：通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁，工藝簡單，得到的產品成分分布均勻，氣孔率低，半導體性能優(yōu)越，且通過引入金、銀和鈀粉，充分改善燒結性能，進一步降低燒結溫度，節(jié)能環(huán)保。

聲明：

“鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)