權(quán)利要求

1.耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括以下步驟： 1）將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上，得到改性含鈦納米材料，所述含鈦納米材料為選自二氧化鈦納米管、二氧化鈦納米顆粒、鈦酸鋇納米顆?；蜮佀徙~鈣納米顆粒中的一種或多種的組合； 2）通過光還原工藝在所述改性含鈦納米材料上生成貴金屬納米顆粒，得到貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料，其中，所述貴金屬納米顆粒通過羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料化學(xué)連接； 3）將所述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料加入到二酐前驅(qū)體和二胺前驅(qū)體中進(jìn)行原位聚合，得到聚酰亞胺前驅(qū)體復(fù)合材料； 4）采用流延法將所述聚酰亞胺前驅(qū)體復(fù)合材料制備成聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜，再進(jìn)一步使所述聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜亞胺化，得到聚酰亞胺薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述羥基取代的苯硫酚為選自2-羥基苯硫酚、3-羥基苯硫酚或4-羥基苯硫酚中的一種或多種的組合；和/或，所述羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料的投料質(zhì)量比為1-3:100。 

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：步驟1）中，將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上的方法為：將所述含鈦納米材料、羥基取代的苯硫酚與水混合，然后將混合物放入充有氬氣保護(hù)的高壓容器中、在 60~80 ℃下進(jìn)行加熱處理。 

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述貴金屬納米顆粒選自Au、Ag或Pt納米顆粒；和/或，所述貴金屬納米顆粒的粒徑為10-60nm。 

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中，所述光還原工藝包括：首先，將氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液與所述改性含鈦納米材料在充有氬氣保護(hù)的高壓容器中、在50-70℃下加熱處理得到混合物，其中，所述氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液的濃度為2-15mg/L；其次，將前述得到的混合物置于200-400W的氙燈紫外光下照射2-6小時(shí)。 

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述二氧化鈦納米管的直徑為15-55nm，長度為200-500nm；和/或，所述二氧化鈦納米顆粒的粒徑為50-100 nm；所述鈦酸鋇納米顆粒的粒徑為150-300nm；和/或，所述鈦酸銅鈣納米顆粒的粒徑為 150-300nm。 

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述含鈦納米材料與所述貴金屬納米顆粒的質(zhì)量比為1：0.01~0.05，二者合計(jì)占所述耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜總質(zhì)量的10~20%。 

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述二酐前驅(qū)體為選自均苯四甲酸二酐、4,4′-六氟異丙基鄰苯二甲酸酐、雙酚A型二酐BPADA中的一種或多種的組合，所述二胺前驅(qū)體為選自4,4′-二氨基-2, 2′-二甲基-1,1′-聯(lián)苯或間苯二胺PDA中的一種或兩種的組合。 

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述二酐前驅(qū)體與二胺前驅(qū)體的摩爾比為0.98-1.05：1。 

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：在所述原位聚合之前，對(duì)所述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料進(jìn)行硅烷偶聯(lián)劑改性。 

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述硅烷偶聯(lián)劑為選自KH570、KH550或KH560中的一種或多種的組合。 

12.一種如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法制備得到的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜。 

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜，其特征在于：所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜在20kHz，1kv的條件下的耐電暈時(shí)間在460小時(shí)以上。

說明書

耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜。

背景技術(shù)

因?yàn)榫哂辛己玫姆€(wěn)定性以及介電性能，聚酰亞胺薄膜在各個(gè)不同的工業(yè)部門得到了廣泛應(yīng)用。隨著聚酰亞胺薄膜應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，工業(yè)界對(duì)聚酰亞胺的各種性能的要求也越來越高，比如在保持力學(xué)性能的同時(shí)，要求更好的耐電暈性能和介電性能等。

已知，摻雜無機(jī)顆?？梢蕴岣呔埘啺繁∧さ哪碗姇炐阅堋５湫偷膿诫s無機(jī)顆粒為含有鈦或鈦酸的無機(jī)顆粒，例如二氧化鈦顆粒、鈦酸鋇顆粒、鈦酸銅鈣顆粒等。但是，這些無機(jī)顆粒的摻入特別是量較大時(shí)會(huì)使聚酰亞胺薄膜介質(zhì)損耗性能降低。采用貴金屬納米顆粒對(duì)摻雜的無機(jī)顆粒進(jìn)行表面修飾，則可以減少聚酰亞胺薄膜介質(zhì)損耗性能降低的程度。例如，楊陽等人在中國專利CN103755958A中公開了在鈦酸銅鈣陶瓷顆粒的表面包裹銀顆粒，并進(jìn)一步制備得到聚酰亞胺/鈦酸銅鈣包覆銀納米顆粒復(fù)合材料和薄膜，該薄膜與未改性的聚酰亞胺相比，介電常數(shù)明顯提高，而介電損耗仍保持在較低的水平。

然而，雖然通過貴金屬顆粒修飾提高了介電性能，但是引起了新的問題：現(xiàn)有技術(shù)中的貴金屬納米顆粒修飾工藝制備的聚酰亞胺復(fù)合材料的耐電暈性能和力學(xué)性能下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足，提供一種改進(jìn)的聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，該方法制備得到的聚酰亞胺復(fù)合薄膜不僅具有優(yōu)異的介電性能，而且具有優(yōu)異的耐電暈性能和力學(xué)性能。

本發(fā)明還提供一種聚酰亞胺復(fù)合薄膜，其不僅具有優(yōu)異的介電性能，而且具有優(yōu)異的耐電暈性能和力學(xué)性能。

為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明采取的一種技術(shù)方案如下：

一種耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1）將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上，得到改性含鈦納米材料，所述含鈦納米材料為選自二氧化鈦納米管、二氧化鈦納米顆粒、鈦酸鋇納米顆粒或鈦酸銅鈣納米顆粒中的一種或多種的組合；

2）通過光還原工藝在所述改性含鈦納米材料上生成貴金屬納米顆粒，得到貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料，其中，所述貴金屬納米顆粒通過羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料化學(xué)連接；

3）將所述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料加入到二酐前驅(qū)體和二胺前驅(qū)體中進(jìn)行原位聚合，得到聚酰亞胺前驅(qū)體復(fù)合材料；

4）采用流延法將所述聚酰亞胺前驅(qū)體復(fù)合材料制備成聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜，再進(jìn)一步使所述聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜亞胺化，得到聚酰亞胺薄膜。

優(yōu)選地，所述羥基取代的苯硫酚為選自2-羥基苯硫酚、3-羥基苯硫酚或4-羥基苯硫酚中的一種或多種的組合。

進(jìn)一步地，所述羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料的質(zhì)量比為1~3:100。

進(jìn)一步地，步驟1）中，將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上的方法為：將含鈦納米材料、羥基取代的苯硫酚與水混合，然后將混合物放入充有氬氣保護(hù)的高壓容器中、在 60~80 ℃下進(jìn)行加熱處理。

進(jìn)一步地，所述貴金屬納米顆粒選自Au、Ag或Pt納米顆粒，所述貴金屬納米顆粒的粒徑為10-60nm。

優(yōu)選地，所述步驟2）中，所述光還原工藝包括：首先，將氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液與所述改性含鈦納米材料在充有氬氣保護(hù)的高壓容器中、在50-70℃下加熱處理得到混合物，其中，所述氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液的濃度為2-15mg/L；其次，將前述得到的混合物置于200-400W的氙燈紫外光下照射2-6小時(shí)。

現(xiàn)有技術(shù)中采用貴金屬納米顆粒修飾含有鈦或鈦酸的無機(jī)顆粒制備聚酰亞胺薄膜時(shí)，通常在無機(jī)顆粒與聚酰亞胺之間進(jìn)行接枝改性，而忽略了無機(jī)顆粒與貴金屬納米顆粒之間的分散以及連接效果，影響了聚酰亞胺薄膜的耐電暈性能。發(fā)明人在大量實(shí)驗(yàn)研究中發(fā)現(xiàn)，通過羥基取代的苯硫酚對(duì)含鈦納米材料和貴金屬納米顆粒進(jìn)行化學(xué)連接，可以有效改善二者之間的分散和連接效果，并最終獲得具有優(yōu)異耐電暈性能和力學(xué)性能的聚酰亞胺復(fù)合薄膜。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述含鈦納米材料為二氧化鈦納米管，與其他含鈦納米材料相比，其具有更高的比表面積和反應(yīng)活性。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述二氧化鈦納米管的直徑為15-55nm，長度為200-500nm。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述二氧化鈦納米顆粒的粒徑為50-100nm。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述鈦酸鋇納米顆粒的粒徑為150-300nm。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述鈦酸銅鈣納米顆粒的粒徑為150-300nm。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，所述含鈦納米材料與所述貴金屬納米顆粒的質(zhì)量比為1：0.01~0.05，二者合計(jì)占所述聚酰亞胺復(fù)合材料總質(zhì)量的10~20%。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，在所述原位聚合之前，對(duì)所述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料進(jìn)行硅烷偶聯(lián)劑改性。

優(yōu)選地，所述硅烷偶聯(lián)劑選自KH570、KH550或KH560中的一種或多種的組合。

在一些具體實(shí)施方式中，所述二酐前驅(qū)體為選自均苯四甲酸二酐、4,4′-六氟異丙基鄰苯二甲酸酐、雙酚A型二酐BPADA中的一種或多種的組合，所述二胺前驅(qū)體選自4,4′-二氨基-2, 2′-二甲基-1,1′-聯(lián)苯或間苯二胺PDA中的一種或兩種的組合。

在一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述二酐前驅(qū)體與二胺前驅(qū)體的摩爾比為0.98-1.05：1。

本發(fā)明還提供一種上述制備方法制備得到的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜產(chǎn)品，該產(chǎn)品力學(xué)性能優(yōu)良，同時(shí)耐電暈性能明顯提高。

在根據(jù)本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜在20kHz，1kv的條件下的耐電暈時(shí)間在460小時(shí)以上。

在根據(jù)本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜在厚度為25±0.2厘米時(shí)的拉伸強(qiáng)度在140兆帕以上。

在根據(jù)本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述的耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜在厚度為25±0.2厘米時(shí)的斷裂伸長率在30%以上。

進(jìn)一步地，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為5-35微米。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜還包括硅烷偶聯(lián)劑。通過硅烷偶聯(lián)劑對(duì)貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料進(jìn)行表面接枝改性，可以進(jìn)一步提高其在聚酰亞胺薄膜中的分散性。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1）本發(fā)明創(chuàng)造性地采用羥基取代的苯硫酚物來化學(xué)連接含鈦納米材料和貴金屬納米顆粒，從而在含鈦納米材料的表面上修飾分布均勻、穩(wěn)固的貴金屬納米顆粒，使得貴金屬納米顆粒幾乎不在含鈦納米材料上團(tuán)聚，改善了二者的分散性和連接效果。

2）本發(fā)明創(chuàng)造性地將上述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料作為聚酰亞胺復(fù)合薄膜的組分，使得聚酰亞胺復(fù)合薄膜在保持良好介電性能的同時(shí)，具有優(yōu)異的力學(xué)性能和耐電暈性能。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1中金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管的TEM圖；

圖2為實(shí)施例1中金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管用于EDS元素分析時(shí)的TEM圖，圖中黑框?yàn)檫x定的EDS元素分析區(qū)域；

圖3為圖2黑框選中區(qū)域的EDS元素分析圖。

具體實(shí)施方式

發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中包含貴金屬納米顆粒的聚酰亞胺復(fù)合薄膜的耐電暈性能較差和力學(xué)性能下降，主要是由于現(xiàn)有技術(shù)的工藝存在貴金屬納米顆粒易于團(tuán)聚以及其與摻雜無機(jī)顆粒之間連接效果不佳導(dǎo)致。發(fā)明人基于大量實(shí)驗(yàn)研究基礎(chǔ)，提出了改進(jìn)的制備工藝，成功解決這一問題。

本發(fā)明通過采用羥基取代的苯硫酚對(duì)含鈦納米材料進(jìn)行表面修飾，羥基取代的苯硫酚中的羥基連接含鈦納米材料的鈦原子，在含鈦納米材料的表面形成分布均勻，連接牢固的功能基團(tuán)，再通過羥基取代的苯硫酚上的巰基連接貴金屬納米顆粒，從而在含鈦納米材料的表面上修飾分布均勻、穩(wěn)固的貴金屬納米顆粒，如此，在最終制備的聚酰亞胺薄膜中，含鈦納米材料、貴金屬納米顆粒分散良好并且二者之間相穩(wěn)固地連接。實(shí)驗(yàn)證明，通過本發(fā)明方法所制備的聚酰亞胺薄膜，具有顯著提高的耐電暈性能和力學(xué)性能。

下面結(jié)合具體實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員更好理解和實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)例范圍之中。

實(shí)施例1

采用如下方法制備聚酰亞胺薄膜：

1）制備二氧化鈦納米管：在高壓反應(yīng)釜中按照質(zhì)量比1：5加入粒徑為50nm的銳鈦礦相二氧化鈦粉末和10M濃度的NaOH溶液，密封后在140℃的條件下水熱反應(yīng)72小時(shí)；待反應(yīng)釜冷卻后，將白色固體從高壓反應(yīng)釜中移出并用0.1M鹽酸溶液洗滌，然后用大量去離子水沖洗直至流出溶液的pH值為中性，并在80℃下干燥，得到二氧化鈦納米管。

2）二氧化鈦納米管的改性：將二氧化鈦納米管、4-羥基苯硫酚與去離子水按質(zhì)量比100：3：2混合，然后將混合物放入充有氬氣保護(hù)的高壓容器中在 70℃ 下加熱處理24 小時(shí)，得到改性的二氧化鈦納米管。

3）修飾金納米顆粒：向高壓容器中注入10 mg/mL的氯金酸（HAuCl 4）溶液，氯金酸溶液與改性的二氧化鈦納米管的質(zhì)量比為3：100。然后，高壓容器繼續(xù)保持氬氣氛和密封，在60℃下加熱處理2小時(shí)，隨后將反應(yīng)混合物在室溫下保持?jǐn)嚢?，自然冷卻。將冷卻后的反應(yīng)混合物邊攪拌邊用300W的氙燈紫外光照射4 小時(shí)，在改性的二氧化鈦納米管上光還原氯金酸溶液生成金納米顆粒，將產(chǎn)物用蒸餾水和乙醇反復(fù)洗滌，并在 80℃下干燥，得到金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管。

4）硅烷偶聯(lián)劑改性：將金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%-20%加入到KH570硅烷偶聯(lián)劑的無水乙醇的溶液中，KH570和無水乙醇的體積比為1：10，并超聲分散處理10分鐘；隨后在400℃下油浴處理4小時(shí)；油浴結(jié)束后將得到的絮狀物反復(fù)用無水乙醇、去離子水清洗，抽濾并在室溫下自然干燥，得到硅烷偶聯(lián)劑改性的金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管。

5）將硅烷偶聯(lián)劑改性的金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管加入到均苯四甲酸二酐的DMF溶液中，使得加入后體系的固含量為10，在80℃水浴下超聲分散處理1小時(shí)；加入占前述體系質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的間苯二胺（PDA）并攪拌分散均勻；待 PDA 完全溶解后，向混合溶液中緩慢加入雙酚A型二酐BPADA，加入的PDA和BPADA的摩爾比例為 1:1.01；繼續(xù)攪拌4小時(shí)得到聚酰亞胺前驅(qū)體聚酰胺酸（PAA）溶液；將聚酰胺酸（PAA）超聲處理 10分鐘后放入真空干燥箱內(nèi)真空除去溶液內(nèi)的氣泡。

6）利用流延法將聚酰亞胺前驅(qū)體聚酰胺酸（PAA）溶液制備得到聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜，再將聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜亞胺化，得到聚酰亞胺薄膜，厚度為25.1微米。

其中，金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管的TEM圖如圖1所示，其中顆粒狀的為金納米顆粒，可見金納米顆粒成功修飾在二氧化鈦納米管上。圖2為EDS元素分析時(shí)對(duì)應(yīng)的TEM圖，其中黑色部分為背景，白色部分為金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管樣品，對(duì)圖2中黑框選定的區(qū)域進(jìn)行EDS元素分析，元素分析圖如圖3所示，可見，金納米顆粒修飾后的二氧化鈦納米管引入了Au元素，說明金納米顆粒成功修飾在二氧化鈦納米管上。

實(shí)施例2

制備聚酰亞胺復(fù)合薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：步驟3）中采用硝酸銀溶液替換氯金酸溶液。

實(shí)施例3

制備聚酰亞胺復(fù)合薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：步驟3）中采用氯鉑酸溶液替換氯金酸溶液。

實(shí)施例4

制備聚酰亞胺復(fù)合薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：步驟2）中采用2-羥基苯硫酚替換4-羥基苯硫酚。

實(shí)施例5

制備聚酰亞胺復(fù)合薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：步驟2）中采用3-羥基苯硫酚替換4-羥基苯硫酚。

實(shí)施例6

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：不進(jìn)行步驟1），直接將粒徑為50nm的銳鈦礦相二氧化鈦納米顆粒替換步驟2）中的二氧化鈦納米管。

實(shí)施例7

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：不進(jìn)行步驟1），采用粒徑為50nm的鈦酸銅鈣納米顆粒替換步驟2）中的二氧化鈦納米管。

對(duì)比例1

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：不進(jìn)行步驟2），即不采用4-羥基苯硫酚對(duì)二氧化鈦納米管進(jìn)行改性。

對(duì)比例2

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例1，區(qū)別僅在于：步驟2）中采用多巴胺替換4-羥基苯硫酚。

對(duì)比例3

向均苯四甲酸二酐的DMF溶液中加入占DMF溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的間苯二胺（PDA）并攪拌分散均勻；待 PDA 完全溶解后，向混合溶液中緩慢加入雙酚A型二酐BPADA，加入的PDA和BPADA的摩爾比例為 1:1.01；繼續(xù)攪拌4小時(shí)得到聚酰亞胺前驅(qū)體聚酰胺酸（PAA）溶液；將聚酰胺酸（PAA）超聲處理 10分鐘后放入真空干燥箱內(nèi)真空除去溶液內(nèi)的氣泡。利用流延法將聚酰亞胺前驅(qū)體聚酰胺酸（PAA）溶液制備得到聚酰亞胺薄膜，厚度為10微米。

對(duì)比例4

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例6，區(qū)別僅在于：不進(jìn)行步驟2），即不采用4-羥基苯硫酚對(duì)二氧化鈦納米顆粒進(jìn)行改性。

對(duì)比例5

制備聚酰亞胺薄膜的工藝基本同實(shí)施例7，區(qū)別僅在于：不進(jìn)行步驟2），即不采用4-羥基苯硫酚對(duì)二氧化鈦納米顆粒進(jìn)行改性。

根據(jù)GB/T22689-2008/IEC60304:1991對(duì)實(shí)施例1-7、對(duì)比例1-5的薄膜進(jìn)行耐電暈性能測(cè)試(試驗(yàn)參數(shù)：20kHz，1kv)；根據(jù)GB/T 13542.2-2009 以50毫米/分鐘的拉伸速度對(duì)樣品進(jìn)行力學(xué)性能測(cè)試，結(jié)果見表1。

由表1對(duì)比可知，本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜比普通的不采用4-羥基苯硫酚對(duì)二氧化鈦納米管進(jìn)行改性，或者采用含有羥基和氨基的多巴胺對(duì)二氧化鈦納米管進(jìn)行改性的相應(yīng)薄膜的耐電暈性能明顯提升。因此，本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜的耐電暈性能顯著高于普通聚酰亞胺薄膜。

上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

在本文中所披露的范圍的端點(diǎn)和任何值都不限于該精確的范圍或值，這些范圍或值應(yīng)當(dāng)理解為包含接近這些范圍或值的值。對(duì)于數(shù)值范圍來說，各個(gè)范圍的端點(diǎn)值之間、各個(gè)范圍的端點(diǎn)值和單獨(dú)的點(diǎn)值之間，以及單獨(dú)的點(diǎn)值之間可以彼此組合而得到一個(gè)或多個(gè)新的數(shù)值范圍，這些數(shù)值范圍應(yīng)被視為在本文中具體公開。

耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜.pdf