本發(fā)明公開了一種氮化硅?聚酰亞胺復合介質(zhì)的MIM電容器及其制作方法,通過在電容器的上、下極板之間設(shè)置氮化硅?聚酰亞胺復合介質(zhì)結(jié)構(gòu),采用第一氮化硅層定義電容器面積,第二氮化硅層定義電容器上下極板間距,同時采用聚酰亞胺填覆凹槽,一方面提高了抵御水汽侵蝕能力,解決了電容器在溫濕度偏壓(THB)/偏壓高加速應(yīng)力測試(BHAST)等可靠性測試中失效的問題,另一方面降低了高度差導致的第二金屬跨區(qū)斷裂風險,增強了上極板導電能力和耐擊穿能力,提高了整體性能,可運用于所有HBT?MMIC上。
聲明:
“氮化硅-聚酰亞胺復合介質(zhì)的MIM電容器及制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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