本發(fā)明實施例公開了一種3D堆疊封裝集成電路
芯片及其失效定位方法和裝置,其中失效定位方法包括:確定標準樣品器件中多個位于不同深度的對比檢測層;每次研磨出對比檢測層后,通過熱成像儀檢測暴露出的對比檢測層在失效狀態(tài)下不同檢測頻率對應的相位值;根據(jù)每一對比檢測層在失效狀態(tài)下檢測頻率與相位值的對應關系確定該對比檢測層的失效定位曲線;根據(jù)每一對比檢測層的失效定位曲線對待測3D堆疊封裝集成電路芯片進行失效定位;其中標準樣品器件為待測3D堆疊封裝集成電路芯片同類型未失效的3D堆疊封裝集成電路芯片。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案實現(xiàn)了對3D堆疊封裝集成電路芯片的失效定位。
聲明:
“3D堆疊封裝集成電路芯片及其失效定位方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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