本發(fā)明用于磁補償式霍爾電流傳感器的切割磁 芯。本發(fā)明的成分為FczNiyMxSi7-10B12-15(其 中M為Mo或Mn,x為0-5,y為0-40,z為 36-78),經(jīng)過特殊的部分晶化退火或橫磁場退火,使 剩磁降低和改善高頻特性,最后采用半柔性環(huán)氧樹脂 進行封裝固化和切割而成。與傳統(tǒng)坡莫磁芯相比,本 發(fā)明非晶磁芯的重要優(yōu)點是原材料和制造成本低、易 于制造,有優(yōu)良的頻率特性和更低的剩磁和矯頑力, 可改善傳感器的響應(yīng)時間和精度。
聲明:
“磁補償式霍爾電流傳感器用非晶磁芯制法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)