本發(fā)明屬于針對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程性能演化的逆向研究領(lǐng)域，具體涉及一種SiO2薄膜生長(zhǎng)過(guò)程微結(jié)構(gòu)演化的研究方法，其可用于評(píng)價(jià)SiO2薄膜生長(zhǎng)過(guò)程微結(jié)構(gòu)演化規(guī)律。該研究方法采用化學(xué)溶液腐蝕方法，通過(guò)對(duì)SiO2薄膜分層腐蝕，分別對(duì)腐蝕的SiO2薄膜進(jìn)行紅外介電常數(shù)測(cè)試，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)不同厚度的SiO2薄膜短程有序結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià)，對(duì)于深入理解SiO2薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的微觀結(jié)構(gòu)具有重要意義，為薄膜材料生長(zhǎng)過(guò)程性能演化規(guī)律的研究提供了逆向研究方法。該方法避免了傳統(tǒng)分層制備方法的周期長(zhǎng)、成本高等缺點(diǎn)，為薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程逆向研究提供了新方法。