本發(fā)明屬于生長超大規(guī)模集成電路薄膜材料技術領域,包括外延生長室及其加熱裝置,預處理裝片室,磁傳動傳送片機構,氣路系統(tǒng),熱電偶與光測高溫計,加熱電源,高真空機組抽氣系統(tǒng),尾氣處理裝置以及計算機自動控制系統(tǒng);加熱裝置由固定在該外延生長室外側(cè)的石墨板電阻加熱器、安裝在石墨板加熱器外的紅外反射板組成。本發(fā)明具有加熱溫度均勻,可外延大面積厚度均勻半導體片,且低成本、高效率,易于工業(yè)實用化批量生產(chǎn)等特點。
聲明:
“超高真空化學氣相淀積外延系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)