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具有高飽和衍射效率的鈮酸鋰晶體及其制備方法

994 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 21:50:28

本發(fā)明公開了一種具有高飽和衍射效率的鈮酸鋰晶體，將原料混合充分研磨后，將籽晶固定在坩堝底部種井部位，然后將所有混合原料裝入鉑金坩堝并封好，置于晶體生長爐生長晶體并控制爐內溫度1300?1400℃，利用坩堝下降法法生長晶體，生長速度為0.2?0.4mm/h，Mg離子和U離子的摻入大幅度提高了LiNbO3晶體的飽和衍射效率和光折變響應時間。還公開了該鈮酸鋰晶體的制備方法。本發(fā)明實現了高飽和衍射效率、快響應鈮酸鋰單晶的生長，并且工藝設備簡單，可同時生長多根晶體，可極大提高鈮酸鋰晶體的生產效率，推動其在全息領域的應用。

聲明：

“具有高飽和衍射效率的鈮酸鋰晶體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)