本發(fā)明公開了一種多孔硅基薄膜的制備方法,采用物理氣相沉積或者化學(xué)氣相沉積的方法將Si薄膜與選定的另一種薄膜制備成多層膜結(jié)構(gòu),被選定的另一種薄膜材料既作為Si擴散出來的輔助材料,又作為Si復(fù)合負極中的
復(fù)合材料;然后在適當(dāng)?shù)臏囟认逻M行熱處理,發(fā)生非對稱擴散,部分硅顆粒從TiO2中擴散出來,之后將擴散到表面的Si去除即得到具有空隙結(jié)構(gòu)的Si基多層膜負極。本發(fā)明相比于其他一些Si基薄膜電極的優(yōu)點:Si基薄膜電極結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,能量密度高,壽命長;Si薄膜造孔方便,容易控制且環(huán)境友好;薄膜韌性好,可制備較厚薄膜電極;本方法制得的電極片不僅能緩解Si的體積膨脹、提高鋰離子擴散速率,還能保持優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“多孔硅基薄膜及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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