本發(fā)明提供了一種高性能Diamond/SiC電子封裝材料的制備工藝,其特征是首先按重量百分比,將10~15%的粘接劑,5~20%的石墨,20~40%的硅粉,30~60%的金剛石顆粒濕混,混合時(shí)間16~24h。然后在10~50MPa壓力和150℃的溫度下溫壓成形獲得
復(fù)合材料毛坯。在氬氣保護(hù)氣氛中1100℃燒結(jié)24h,隨爐冷卻后得到具有一定強(qiáng)度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基體。然后將氣相滲透的滲料置于
石墨坩堝中,將所制備的Diamond/Si/C多孔基體置于該石墨坩堝上,然后整體置于高真空燒結(jié)爐中進(jìn)行真空氣相滲透1-2h,滲透溫度1500~1650℃,真空度-0.08~-0.01MPa。隨爐冷卻后即可獲得致密的Diamond/SiC電子封裝材料。本發(fā)明是一種周期短、工藝簡(jiǎn)單、設(shè)備要求較低、成本低,并可制備復(fù)雜形狀致密Diamond/SiC電子封裝材料的方法。
聲明:
“高性能Diamond/SiC電子封裝材料的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)