本發(fā)明提供一種基于Al?W?Si的抗輻射電子封裝材料及其制備方法,該電子封裝材料包括Al?W?Si三元
復(fù)合材料和含Al?W?Si三元復(fù)合材料粉末的高分子涂層,具體制備方法為:將鋁硅合金經(jīng)氣霧化設(shè)備制備得到鋁硅合金霧化粉末,然后與W粉末球磨,得到Al?W?Si三元復(fù)合材料粉末;將Al?W?Si三元復(fù)合材料粉末裝入鋼制包套內(nèi),經(jīng)過預(yù)壓,真空除氣、真空熱壓使之致密化,經(jīng)機(jī)加工,形成Al?W?Si三元復(fù)合材料;將聚氨酯改性環(huán)氧樹脂與Al?W?Si三元復(fù)合材料粉末混合,涂覆到Al?W?Si三元復(fù)合材料上固化,得到基于Al?W?Si的抗輻射電子封裝材料。本發(fā)明制備的電子封裝材料具有低質(zhì)、高導(dǎo)熱、低碰撞系數(shù)和抗輻射加固性能。
聲明:
“基于Al?W?Si的抗輻射電子封裝材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)