本發(fā)明涉及一種多層鋁基
復(fù)合材料的真空鑄造設(shè)備,包括:主真空倉(cāng)及與所述主真空倉(cāng)內(nèi)側(cè)連通的副真空倉(cāng),所述主真空倉(cāng)與所述副真空倉(cāng)通過隔離門分隔,所述主真空倉(cāng)的內(nèi)側(cè)設(shè)置有兩個(gè)中轉(zhuǎn)傳送帶,且兩個(gè)中轉(zhuǎn)傳送帶的一端通過U型傳送帶連接,所述副真空倉(cāng)的內(nèi)側(cè)設(shè)置有兩個(gè)普通傳送帶,兩個(gè)所述普通傳送帶位于兩個(gè)所述中轉(zhuǎn)傳送帶遠(yuǎn)離所述U型傳送帶的一端;兩個(gè)所述中轉(zhuǎn)傳送帶之間形成用于SiC顆粒放置的中央存放區(qū),且中央存放區(qū)處設(shè)置有自動(dòng)機(jī)械臂;所述主真空倉(cāng)的內(nèi)側(cè)位于所述中轉(zhuǎn)傳送帶的上方設(shè)置有四個(gè)熔煉澆鑄爐,且所述主真空倉(cāng)與所述副真空倉(cāng)還與安裝在所述副真空倉(cāng)上的抽真空組件連通。
聲明:
“多層鋁基復(fù)合材料的真空鑄造設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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