本發(fā)明公開了一種微米級(jí)片層狀Si/SiO2
復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用,屬于微
納米材料合成領(lǐng)域。本發(fā)明所使用的含硅物質(zhì)為廉價(jià)易得的工業(yè)級(jí)硅源,將其按比例與氯化鈉和鎂粉混合,加入適量無(wú)水乙醇后研磨,真空干燥后得到前驅(qū)體。前驅(qū)體在500~700℃下煅燒后進(jìn)行酸處理,洗滌、干燥后得到微米級(jí)片層狀Si/SiO2復(fù)合材料。本發(fā)明原料價(jià)格低廉,工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,整體能耗較低,適合工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明的制備方法,通過(guò)改變反應(yīng)參數(shù)可以對(duì)Si/SiO2復(fù)合材料的組分比例進(jìn)行調(diào)控,制備出的Si/SiO2復(fù)合材料形貌特征鮮明,呈微米級(jí)片層狀。作為電池
負(fù)極材料,具有較好的
電化學(xué)性能。
聲明:
“微米級(jí)片層狀Si/SiO2復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)