本發(fā)明涉及一種基于寬禁帶氧化物包覆量子點(diǎn)的電雙穩(wěn)態(tài)器件,其結(jié)構(gòu)包括:透明電極襯底;空穴緩沖層,該緩沖層制作在透明電極襯底上;P型半導(dǎo)體聚合物層;量子點(diǎn)有源層,該有源層就是基于寬禁帶氧化物包覆量子點(diǎn)的薄膜,該有源層制作在P型半導(dǎo)體聚合物層上,是該電雙穩(wěn)態(tài)器件的核心;鋁電極蒸鍍在量子點(diǎn)有源層上,作為器件的陰極。基于寬禁帶氧化物包覆量子點(diǎn)的電雙穩(wěn)態(tài)器件由于其具有低成本,易加工,膜層薄以及電流開關(guān)比高的特點(diǎn),在未來的信息電子工業(yè)領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于寬禁帶氧化物包覆量子點(diǎn)的電雙穩(wěn)態(tài)器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)