本發(fā)明涉及耐高溫、抗氧化介電陶瓷的制備技術,特別提供了一種耐高溫、抗氧化硅氮氧陶瓷的低溫制備方法,解決現(xiàn)有技術中制備硅氮氧陶瓷材料時,存在的溫度相對較高、反應時間長等問題。采用一定化學計量比的氮化硅和二氧化硅為原料,以
碳酸鋰為燒結助劑,原料經過研磨10-30小時,裝入石墨模具中冷壓成型,在通有氮氣作為保護氣氛的熱壓爐中燒結,燒結溫度為1400-1600℃、燒結時間為0.1-1小時。本發(fā)明可以在較低溫度、短時間內合成高純度、抗氧化、室溫強度和高溫強度高、介電常數(shù)低和介電損耗小的致密硅氮氧陶瓷塊體。采用本發(fā)明方法獲得的硅氮氧陶瓷,可作為抗氧化高溫結構材料和
功能材料,具有潛在的應用價值。
聲明:
“耐高溫、抗氧化硅氮氧陶瓷的低溫制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)