一種制備
稀土摻雜SN-TE基高致密度塊體稀磁
半導(dǎo)體材料的方法,采用的原料組分及用量(重量份)為:稀土元素1~10,金屬SN 40~47,金屬TE 50~52,按所述原料組分及用量制備所述稀磁半導(dǎo)體材料的方法是:依據(jù)稀土-SN-TE三元合金相圖,計(jì)算出要制備的稀磁半導(dǎo)體材料的原料配比,然后將所述原料混合均勻;將混勻料真空封裝進(jìn)石英管中,放進(jìn)高溫箱式電阻爐中于500~600℃保溫1~3個(gè)小時(shí),再用高頻爐熔煉,然后把熔煉好的材料研磨成粉末,經(jīng)高溫?zé)Y(jié)即得高致密塊體稀磁半導(dǎo)體材料。采用本發(fā)明制備得的稀磁半導(dǎo)體材料晶粒均勻、純度高,可用于制作各種
功能材料以及功能薄膜的靶材,便于工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“稀土摻雜SN-TE基稀磁半導(dǎo)體高致密度塊體材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)