本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及氮化物材料的制備方法及氮化物材料,氮化物材料的制備方法,包括以下步驟:提供襯底,在襯底的表面沉積氮化物,形成氮化物薄膜;采用離子注入方法,在氮化物薄膜中形成離子注入層,離子注入層將氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜與第二氮化物膜,第一氮化物膜附著于襯底上,第二氮化物膜遠(yuǎn)離襯底;在第二氮化物膜的表面沉積
功能材料,形成功能材料層;自離子注入層剝離第二氮化物膜與功能材料層。工藝步驟簡(jiǎn)單,可操作性強(qiáng),無(wú)需激光處理,不受功能材料的尺寸限制,利于在工業(yè)中應(yīng)用。
聲明:
“氮化物材料的制備方法及氮化物材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)