本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體功率器件子模組及其生產(chǎn)方法及壓接式IGBT模塊,所述半導(dǎo)體功率器件子模組的生產(chǎn)方法包括如下步驟:S1.在鉬片的鍍銀面上沉積AgSn薄膜焊膏;S2.將
芯片通過卡具貼裝在所述AgSn薄膜焊膏表面,形成待燒結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體功率器件子模組的生產(chǎn)方法,在鉬片上首先沉積AgSn,AgSn具有很強(qiáng)導(dǎo)熱能力,可以確保整個(gè)子模組的傳熱能力。
聲明:
“半導(dǎo)體功率器件子模組及其生產(chǎn)方法及壓接式IGBT模塊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)