本發(fā)明涉及一種焊料片和用該焊料片焊接的功率器件
芯片封裝方法,屬于微電子器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。該焊料片包括銦和銀,其中銦材料重量百分比為20~40%,金屬銀的重量百分比為60%~80%,所述焊料片為銦?銀?銦三層復合結(jié)構(gòu)。所述芯片封裝方法以Ag?In作為反應系,芯片低溫焊接原理為連接過程中低熔點金屬銦形成液相與固態(tài)的高熔點金屬銀相互擴散或反應,發(fā)生等溫凝固形成高熔點金屬間化合物,實現(xiàn)耐高溫連接。在Ag?In體系中靠近In一側(cè)金屬間化合物為AgIn
2,隨著工藝焊接時間的延長,Ag?In內(nèi)部互擴散反應加劇,In
4Ag
9和Ag
3In金屬間化合物逐漸增多,并占據(jù)多數(shù),金屬間化合物In
4Ag
9和Ag
3In能耐受660℃的高溫,從而實現(xiàn)大功率器件高溫服役。
聲明:
“焊料片和用該焊料片焊接的功率器件芯片封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)