本發(fā)明涉及一種
芯片交替布置無(wú)鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊,模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,導(dǎo)電墊塊,納米銀焊膏,高溫焊料,功率端子,信號(hào)端子,硅凝膠和環(huán)氧樹脂組成。本發(fā)明通過(guò)納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層,同時(shí)對(duì)芯片表面電極做了鍍金處理,通過(guò)導(dǎo)電墊塊實(shí)現(xiàn)芯片表面電極與外部的電氣連接,利用高溫焊料將功率端子和信號(hào)端子從DBC基板的覆銅層引出。本發(fā)明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線,減小了寄生電感,提高了模塊的可靠性。同時(shí)通過(guò)將芯片分別焊接在上、下DBC基板,實(shí)現(xiàn)雙面散熱的同時(shí)減小了芯片之間的熱耦合效應(yīng),降低了模塊的整體熱阻。
聲明:
“芯片交替布置無(wú)鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)