本發(fā)明公開了大面積ABX3型
鈣鈦礦晶體薄膜生長方法及裝置,所述裝置包括一生長單元,所述生長單元包括生長基底、背板基底、U型薄膜;所述生長基底和背板基底相對平行設置,所述U型薄膜設置于其間,在中間形成一面開口三面密封的生長空腔。將鈣鈦礦生長溶液并注入上述裝置中,通過調控鈣鈦礦晶體的生長溫度和不斷更換新鮮的生長溶液,制備大面積鈣鈦礦晶體薄膜。相對于現(xiàn)有技術,本發(fā)明使用所述裝置生長所得的鈣鈦礦晶體薄膜面積大,厚度薄,缺陷少,穩(wěn)定性好,可以在基底上原位生長鈣鈦礦晶體薄膜,接觸性好,方便于器件的制備,所得的晶體薄膜可直接用于太陽電池、光探測器、光發(fā)射二極管、激光器及光催化等光電和發(fā)光器件。
聲明:
“大面積ABX3型鈣鈦礦晶體薄膜生長方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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