本發(fā)明公開了一種降低冶金級硅太陽能電池暗電流的擴(kuò)散工藝，第一步進(jìn)行低溫濃磷擴(kuò)散，在較低溫度下，通入高濃度磷源進(jìn)行擴(kuò)散，形成高濃度磷摻雜；第二步進(jìn)行高溫長時(shí)間磷吸雜，在較高溫度下使鐵、碳、硼、氧等雜質(zhì)的沉淀態(tài)雜質(zhì)、替位態(tài)雜質(zhì)或者其它雜質(zhì)復(fù)合體釋放成間隙態(tài)雜質(zhì)，間隙態(tài)的雜質(zhì)快速擴(kuò)散到高固溶度的磷硅玻璃層中，完成高溫磷吸雜，提升體少子壽命；第三步低溫推進(jìn)，在較低溫度下，推進(jìn)結(jié)深、并調(diào)整至工藝要求的方塊電阻；并且隨著溫度的降低表面濃磷區(qū)域雜質(zhì)固溶度降低，使間隙態(tài)的雜質(zhì)轉(zhuǎn)變成沉淀態(tài)、復(fù)合體等形態(tài)的雜質(zhì)。采用本發(fā)明擴(kuò)散工藝對冶金級晶體硅片進(jìn)行擴(kuò)散，可以有效降低太陽電池的暗電流，提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。