一種基于軸向磁場(chǎng)及超聲處理制備太陽(yáng)能級(jí)
多晶硅的方法,將冶金硅表面酸洗、蒸餾水清洗,干燥;將預(yù)處理的冶金硅裝進(jìn)高純石英坩堝內(nèi)并放入定向凝固爐中,抽真空;將爐溫升高至1200~1350℃,保溫;向爐腔充入惰性氣體;升溫至1500~1650℃,保溫;得到硅熔體;將爐溫降至1420~1570℃;引入軸向磁場(chǎng)和高能超聲到硅熔體中;將坩堝以1~20μm/s的速率抽拉出加熱區(qū),開(kāi)始長(zhǎng)晶;長(zhǎng)晶結(jié)束后,關(guān)閉勵(lì)磁系統(tǒng)和停止超聲處理,將爐腔內(nèi)溫度降至1000~1300℃;關(guān)閉加熱系統(tǒng),冷卻。本發(fā)明得到的多晶硅材料組織中硅晶粒粗大且垂直于坩堝底部,缺陷少,雜質(zhì)含量低;工藝成本低、簡(jiǎn)單;安全可靠、無(wú)污染;操作方便。
聲明:
“基于軸向磁場(chǎng)及超聲處理制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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