本發(fā)明涉及內(nèi)含Si?C60的陶瓷的制備方法,包括如下步驟:將硅酸鹽材料與炭黑混合后,依次升溫至500℃~550℃、1400℃~1500℃、1750℃~1850℃,再降至常溫,然后將其破碎并加熱至600℃~700℃,以得到Si?C60粉體材料;將粉石英礦、水與分散劑混合后,依次進(jìn)行沉淀、過(guò)濾、離心、烘干,再加入Si?C60粉體材料,然后進(jìn)行微波碳化處理,冷卻后加入聚碳
硅烷和四氫呋喃得到漿料,然后將聚氨酯海綿制成素坯后進(jìn)行空氣不熔化處理,得到內(nèi)含Si?C60的陶瓷。本發(fā)明的方法制備的內(nèi)含Si?C60的陶瓷,具有較優(yōu)的介電性能和抗彎性能,具有很好的商業(yè)前景和科研前景。
聲明:
“內(nèi)含Si?C60的陶瓷及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)