權(quán)利要求書(shū)： 1.一種晶圓測(cè)厚儀，其特征在于，包括：基座；

所述基座頂部設(shè)有放置平臺(tái)和支撐架；

所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；

所述基座內(nèi)安裝有下電容傳感器和抽真空裝置；且所述下電容傳感器位于上電容傳感器的正下方；

所述放置平臺(tái)表面設(shè)有1個(gè)測(cè)試孔和至少3個(gè)真空吸附孔；所述測(cè)試孔位于下電容傳感器的正上方及上電容傳感器的正下方；

所述真空吸附孔環(huán)繞測(cè)試孔均勻分布，且各真空吸附孔通過(guò)環(huán)形氣道相互導(dǎo)通；所述真空吸附孔與真空接入嘴連接；所述真空接入嘴通過(guò)管路與抽真空裝置導(dǎo)通；所述真空吸附孔與真空接入嘴的銜接處還設(shè)有密封蓋。

2.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述放置平臺(tái)表面設(shè)有一層防靜電特氟龍涂層。

3.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述上電容傳感器外側(cè)安裝有防護(hù)外殼。

4.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述支撐架包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的左支撐骨架和右支撐骨架；且所述左支撐骨架和右支撐骨架之間設(shè)有加強(qiáng)筋。

5.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述抽真空裝置包括依序連接的壓縮空氣接入口，氣源三聯(lián)件，電磁閥和真空發(fā)生器。

6.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述基座底部設(shè)有可升降地腳。

說(shuō)明書(shū)： 晶圓測(cè)厚儀技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本申請(qǐng)涉及電子測(cè)量設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶圓測(cè)厚儀。背景技術(shù)[0002] 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，可用于加工制成各種電路元件。而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。在晶圓加工過(guò)程中，只有經(jīng)過(guò)研磨拋光后的晶圓

才能進(jìn)入刻蝕，化學(xué)沉積，電鍍等工藝。因此實(shí)踐中需要對(duì)晶圓厚度進(jìn)行精確的測(cè)量和控

制?，F(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)采用非接觸式測(cè)量方法對(duì)晶圓厚度進(jìn)行測(cè)量時(shí)，由于晶圓邊沿可能存在

細(xì)微的翹曲，因此測(cè)量結(jié)果會(huì)存在亞微米級(jí)的測(cè)量誤差。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的晶

圓帶阻力感應(yīng)的搬運(yùn)機(jī)械手，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

[0003] 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓測(cè)厚儀，能夠克服晶圓邊沿翹曲帶來(lái)的檢測(cè)誤差，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓厚度在亞微米級(jí)別的精確測(cè)量。

[0004] 其采用的技術(shù)方案如下：[0005] 一種晶圓測(cè)厚儀，其包括：基座；所述基座頂部設(shè)有放置平臺(tái)和支撐架；所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；所述基座內(nèi)安裝有下電容傳感器和抽真空裝置；

且所述下電容傳感器位于上電容傳感器的正下方；所述放置平臺(tái)表面設(shè)有1個(gè)測(cè)試孔和至

少3個(gè)真空吸附孔；所述測(cè)試孔位于下電容傳感器的正上方及上電容傳感器的正下方；所

述真空吸附孔環(huán)繞測(cè)試孔均勻分布，且各真空吸附孔通過(guò)環(huán)形氣道相互導(dǎo)通；且所述真空

吸附孔與真空接入嘴連接；所述真空接入嘴通過(guò)管路與抽真空裝置導(dǎo)通；所述真空吸附孔

與真空接入嘴的銜接處還設(shè)有密封蓋。

[0006] 通過(guò)采用這種技術(shù)方案：通過(guò)抽真空裝置在真空吸附孔處產(chǎn)生真空負(fù)壓，使得晶圓上細(xì)微翹曲的待測(cè)試點(diǎn)被吸平。通過(guò)上電容傳感器和下電容傳感器對(duì)晶圓上已被吸平的

待測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行厚度檢測(cè)。從而取得亞微米級(jí)別的精確測(cè)量數(shù)據(jù)。

[0007] 優(yōu)選的是，上述晶圓測(cè)厚儀中：所述放置平臺(tái)表面設(shè)有一層防靜電特氟龍涂層。[0008] 通過(guò)采用這種技術(shù)方案：設(shè)置防靜電特氟龍鍍層的目的在于防止晶圓在平移過(guò)程中劃傷，同時(shí)防止晶圓摩擦?xí)r積聚靜電，對(duì)晶圓造成靜電損壞。

[0009] 更優(yōu)選的是，上述晶圓測(cè)厚儀中：所述上電容傳感器外側(cè)安裝有防護(hù)外殼。[0010] 通過(guò)采用這種技術(shù)方案：以防護(hù)外殼實(shí)現(xiàn)對(duì)上電容傳感器的保護(hù)，同時(shí)由于下電容傳感器位于基座內(nèi)，因此無(wú)需額外對(duì)其設(shè)置防護(hù)外殼。

[0011] 進(jìn)一步優(yōu)選的是，上述晶圓測(cè)厚儀中：所述支撐架包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的左支撐骨架和右支撐骨架；且所述左支撐骨架和右支撐骨架之間設(shè)有加強(qiáng)筋。

[0012] 通過(guò)采用這種技術(shù)方案：設(shè)置對(duì)稱(chēng)的左、右支撐骨架保證支撐架的穩(wěn)定性。設(shè)置加強(qiáng)筋提升了支撐架整體的剛性。

[0013] 更進(jìn)一步優(yōu)選的是，上述晶圓測(cè)厚儀中：所述抽真空裝置包括依序連接的壓縮空氣接入口，氣源三聯(lián)件，電磁閥和真空發(fā)生器，所述真空發(fā)生器通過(guò)管路與相導(dǎo)通。

[0014] 更進(jìn)一步優(yōu)選的是，上述晶圓測(cè)厚儀中：所述基座底部設(shè)有可升降地腳。其中，基于可升降地腳可對(duì)設(shè)備的整體高度進(jìn)行微調(diào)。

[0015] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。能夠克服晶圓邊沿翹曲帶來(lái)的檢測(cè)誤差，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓厚度在亞微米級(jí)別的精確測(cè)量。

附圖說(shuō)明[0016] 圖1為實(shí)施例1的立體結(jié)構(gòu)示意圖；[0017] 圖2為圖1中去除觸摸顯示器和上電容傳感器、防護(hù)外殼后的結(jié)構(gòu)示意圖；[0018] 圖3為圖1的剖面示意圖，本圖中省略了抽真空裝置；[0019] 圖4為圖2的剖面示意圖，本圖中省略了[0020] 圖5為圖4的局部放大示意圖；[0021] 圖6為抽真空裝置的氣路圖。[0022] 各附圖標(biāo)記與部件名稱(chēng)對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：[0023] 1、基座；2、放置平臺(tái)；3、支撐架；4、左支撐骨架；5、右支撐骨架；6、加強(qiáng)筋；7、觸摸顯示器；8、上電容傳感器；9、防護(hù)外殼；10、下電容傳感器；11、測(cè)試孔；12、真空吸附孔；13、

環(huán)形氣道；14、真空接入嘴；15、密封蓋；16、壓縮空氣接入口；17、氣源三聯(lián)件；18、電磁閥；

19、真空發(fā)生器；20、可升降地腳；21、晶圓。

具體實(shí)施方式[0024] 如圖1?6所示為本申請(qǐng)的實(shí)施例1：[0025] 一種晶圓測(cè)厚儀，其包括：基座1，所述基座1頂部設(shè)有放置平臺(tái)2和支撐架3。[0026] 所述支撐架3包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的左支撐骨架4和右支撐骨架5；且所述左支撐骨架4和右支撐骨架5之間設(shè)有加強(qiáng)筋6。所述支撐架3用于安裝觸摸顯示器7和上電容傳感器8；所述

上電容傳感器8外側(cè)安裝有防護(hù)外殼9。

[0027] 所述基座1內(nèi)安裝有下電容傳感器10和抽真空裝置；且所述下電容傳感器10位于上電容傳感器8的正下方；所述放置平臺(tái)2表面還設(shè)有1個(gè)測(cè)試孔11和12個(gè)真空吸附孔12；所

述測(cè)試孔11位于下電容傳感器10的正上方及上電容傳感器8的正下方；所述12個(gè)真空吸附

孔12環(huán)繞測(cè)試孔11均勻分布，且各真空吸附孔12通過(guò)環(huán)形氣道13相互導(dǎo)通；且所述真空吸

附孔12與真空接入嘴14連接；所述真空接入嘴14通過(guò)管路與抽真空裝置導(dǎo)通；所述真空吸

附孔12與真空接入嘴14的銜接處還設(shè)有密封蓋15。具體的：所述抽真空裝置包括通過(guò)管路

依序連接的壓縮空氣接入口16，氣源三聯(lián)件17，電磁閥18和真空發(fā)生器19。所述真空發(fā)生器

19通過(guò)管路與真空接入嘴14相導(dǎo)通。本例中：所述放置平臺(tái)2表面設(shè)有防靜電特氟龍涂層。

所述基座1底部設(shè)有可升降地腳20。

[0028] 實(shí)踐中，其工作過(guò)程如下：[0029] 將晶圓21放置在放置平臺(tái)2上，并推動(dòng)晶圓21，使晶圓21上的待測(cè)試點(diǎn)移動(dòng)至對(duì)準(zhǔn)測(cè)試孔11。此時(shí)啟動(dòng)抽真空裝置，通過(guò)真空吸附孔12產(chǎn)生真空負(fù)壓，由于真空吸附孔12均

勻分布于測(cè)試孔11周?chē)?，?duì)晶圓21上待測(cè)點(diǎn)周?chē)a(chǎn)生同等的吸附力，從而使晶圓21上細(xì)微

翹曲的待測(cè)試點(diǎn)能夠被非常均勻的吸平。此時(shí)上電容傳感器8和下電容傳感器10協(xié)同工

作，對(duì)晶圓21上已被吸平的待測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行厚度檢測(cè)。當(dāng)一個(gè)待測(cè)點(diǎn)完成厚度測(cè)試時(shí)，控制抽

真空裝置停止工作，并轉(zhuǎn)動(dòng)晶圓21至晶圓21上下一待測(cè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)測(cè)試孔11。循環(huán)上述步驟，直

至晶圓21檢測(cè)完畢。

[0030] 以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修

改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。