權(quán)利要求書: 1.一種半自動晶圓測厚儀,其特征在于,包括底座、移載模組和測量機構(gòu);所述底座水平設(shè)置,所述底座上設(shè)有移載模組和測量機構(gòu),所述測量機構(gòu)設(shè)有檢測位,所述移載模組設(shè)有供陶瓷盤放置的上料位,所述陶瓷盤用于放置晶圓,所述上料位可通過移載模組移動至檢測位;所述測量機構(gòu)包括上下移動機構(gòu)、支架和千分表,所述支架安裝在底座上,所述上下移動機構(gòu)安裝在支架上,所述上下移動機構(gòu)的下端安裝若干個千分表,所述千分表的下端彈性設(shè)置探針,所述探針分為基準探針和晶圓探針;當(dāng)上下移動機構(gòu)帶動千分表下行,晶圓探針與晶圓抵觸并收縮,基準探針與陶瓷盤抵觸。2.如權(quán)利要求1所述的一種半自動晶圓測厚儀,其特征在于,還包括讀碼頭和固定架,所述固定架置于上料位的兩側(cè),所述讀碼頭安裝在固定架上,用于掃取條形碼獲得陶瓷盤的信息。3.如權(quán)利要求1所述的一種半自動晶圓測厚儀,其特征在于,所述陶瓷盤上設(shè)有與上料位相匹配的定位標(biāo)記。4.如權(quán)利要求3所述的一種半自動晶圓測厚儀,其特征在于,所述陶瓷盤可放置的晶圓數(shù)量至少兩個。 說明書: 一種半自動晶圓測厚儀技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本實用新型涉及晶圓測量技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半自動晶圓測厚儀。背景技術(shù)[0002] 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓,目前的產(chǎn)品有4英寸晶圓、6英寸晶圓、8英寸晶圓和12英寸晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓在被切割后會進行厚度的測量,計算其厚度是否合格,目前的晶圓厚度的測量大多依靠人工完成且只能一個晶圓一個晶圓的測量,人工測量時先將千分表歸零,在用千分表分別測量陶瓷盤和放置有晶圓的陶瓷盤的數(shù)值,最后兩數(shù)值差即為晶圓的厚度。人工測量晶圓厚度存在測量效率低、精度差、人工成本高等突出問題。[0003] 有鑒于此,本實用新型人提供一種測量速度快、不需頻繁對千分表進行歸零、且能夠提高測量精度的半自動晶圓測厚儀,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。實用新型內(nèi)容[0004] 本實用新型的目的在于提供一種半自動晶圓測厚儀,其結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、可一次測量多個晶圓的厚度。[0005] 為達成上述目的,本實用新型的解決方案為:一種半自動晶圓測厚儀,包括底座、測量機構(gòu)和移載模組,所述底座水
聲明:
“半自動晶圓測厚儀” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)