本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備工藝,通過采用化學(xué)下游刻蝕工藝在濕法刻蝕之前先對先前形成的溝槽進行表面進行平滑處理,從而使得在后續(xù)濕法刻蝕工藝中能夠較好地控制溝槽的形貌,并且通過在濕法刻蝕之后對溝槽的參數(shù)進行測量,從而基于這些參進一步優(yōu)化刻蝕工藝中的工藝條件,使得能夠更為精確地控制刻蝕之后形成的源漏溝槽的形貌和尺寸。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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