一種曝光設(shè)備和方法,可優(yōu)化光致抗蝕劑膜的曝光,而與光致抗蝕劑膜因曝光而發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)無關(guān)。利用第1光致抗蝕劑膜和第1半導(dǎo)體片測量最佳曝光,并將獲得的數(shù)據(jù)存到存儲(chǔ)器中,然后用相同的曝光對第2半導(dǎo)體片上的第2光致抗蝕劑膜曝光,測量開始曝光時(shí)由第2光致抗蝕劑膜和第2半導(dǎo)體片的反射光強(qiáng)。讀出存儲(chǔ)的第1光致抗蝕劑膜和第1半導(dǎo)體片的最佳曝光時(shí)間數(shù)據(jù),將它用作第2光致抗蝕劑膜和第2半導(dǎo)體片的最佳曝光時(shí)間。
聲明:
“曝光方法和曝光設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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