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一維單晶鍺基石墨烯等離激元納米結構的制備方法

780 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:41:40

本發(fā)明提供了一種一維單晶鍺基石墨烯等離激元納米結構的制備方法，步驟如下：（1）在襯底上利用磁控濺射的方法濺射金納米薄膜；（2）在步驟（1）得到的襯底上采用化學氣相沉積生長摻雜鍺單晶納米線；（3）在步驟（2）得到的摻雜鍺單晶納米線表面采用化學氣相沉積直接生長高質量石墨烯，獲得一維鍺基石墨烯表面等離激元納米結構。本發(fā)明通過化學氣相沉積法在鍺單晶納米線表面直接生長石墨烯，避免了傳統(tǒng)的石墨烯薄膜轉移過程，最大程度上減小了轉移過程對石墨烯載流子遷移率的影響，增強了鍺與石墨烯之間中紅外表面等離激元的耦合。本發(fā)明所提供的材料具有強烈且可調的表面等離激元效應，有望在分子指紋檢測、中紅外傳感、光子芯片等領域廣泛應用。

聲明：

“一維單晶鍺基石墨烯等離激元納米結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)