本發(fā)明公開了一種補(bǔ)償摻雜阻擋雜質(zhì)帶太赫茲探測器
芯片及其制備方法,包括在高導(dǎo)Si襯底上,采用化學(xué)氣相沉積工藝外延生長硅摻磷吸收層,摻雜磷離子;在吸收層上通過補(bǔ)償摻雜工藝外延生長高電阻率阻擋層,補(bǔ)償摻雜硼離子;再通過光刻、離子注入、快速熱退火、鈍化、濕法腐蝕、電子束蒸發(fā)等工藝制作正、負(fù)電極。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:采用補(bǔ)償摻雜工藝,在外延生長阻擋層時,引入補(bǔ)償離子硼,提高了阻擋層電阻率,同時又易于控制阻擋層厚度,從而能有效降低暗電流,抑制噪聲,提高靈敏度;硼離子的引入可通過氣源開關(guān)得到很好的控制,該方法可很好地與傳統(tǒng)外延工藝兼容,具有簡單可行、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“補(bǔ)償摻雜阻擋雜質(zhì)帶太赫茲探測器芯片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)