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NMOS型柵體互連光電探測器及其制備方法

1133 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:29:08

本發(fā)明公開了一種NMOS型柵體互連光電探測器及其制備方法，光電探測器由柵體互連NMOS晶體管和光電二極管復合而成；在P型半導體襯底上，由N型雜質(zhì)注入形成N阱，在N阱內(nèi)通過P型雜質(zhì)注入形成T阱；在T阱中通過摻雜或離子注入形成NMOS晶體管，將NMOS晶體管的柵體互連。包括：在熱生長的二氧化硅柵氧層上用化學氣相淀積法淀積多晶硅，干法刻蝕出多晶硅柵圖形；離子注入分別制作出NMOS晶體管的源、漏、P型襯底和N阱、T阱接觸區(qū)；光刻出NMOS晶體管源極、漏極、柵極，及P型襯底和N阱、T阱接觸區(qū)的引線孔，淀積一層金屬膜，光刻出晶體管和接觸區(qū)的電極圖形；利用光刻、刻蝕及金屬化工藝制備其它高層互連金屬，用于將光電流引出至接觸焊盤。

聲明：

“NMOS型柵體互連光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)