本發(fā)明提供基因測序
芯片微坑表面修飾方法,所修飾的微坑的內(nèi)外化學(xué)物質(zhì)完全不同,相比于現(xiàn)有的技術(shù),可以提高微坑修飾的質(zhì)量。本發(fā)明利用鍍金屬層作為遮擋,根據(jù)不同的修飾要求,可以選擇性的利用或者不利用光刻膠作為二次遮擋。首先遮蔽部分修飾區(qū)域,將剩余的部分區(qū)域修飾完畢,然后去掉遮蔽物,修飾遮蔽的區(qū)域。這種方式可以使得基因測序芯片的微坑內(nèi)外具備完全不同的修飾,并且不會相互串?dāng)_。
聲明:
“基因測序芯片微坑表面修飾方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)